Hippeasfrum Herb. — hipeastrum, zwartnica

Rodzina Amaryllidceae — amarylkowate

W produkcji ogrodniczej spotyka się odmiany pochodzące z krzyżowania wielu gatunków występujących przede wszystkim w tropikalnej Ameryce, zebrane pod nazwą Hippeasfrum x hybridurp hort.

Odmiany.

Wymagania. Hipeastrum wymaga dużej intensywności światła. Jedynie latem, w dni bardzo upalne i słoneczne cieniuje się rośliny dla uchronienia liści przed przypaleniem.

Bardzo duże znaczenie dla wzrostu i kwitnienia ma temperatura. W fazie wzrostu wegetatywnego hipeastrum powinna ona wynosić 2t—25°C

Podczas spoczynku, do którego zmusza się rośliny latem utrzymuje się temperaturę 15—16°C. Traktując cebule w czasie przechowywania określoną temperaturą można sterować proce­sem kwitnienia. Stwierdzono bowiem, że działanie wysokiej temperatury znacznie przyspiesza kwitnienie, niska natomiast może je opóźnić

0   kilka miesięcy.

Wymagania hipeastrum co do wody nie są wysokie, ale trzeba roślinom zapewnić umiarkowaną wilgotność ppdłoża, a wiosną i lałem również wysoką wilgotność powietrza, szczególnie w przypadku uprawy roślin młodych, otrzymanych z nasion lub łusek cebuli.

Rozmnażanie i przygotowanie materiału sadzeniowego. Hipeastrum można rozmnażać z nasion, a także wegetatywnie, z cebul przybyszowych lub sadzonek łuskowych.

Pierwsza metoda jest najbardziej wydajna, ale przydatna tylko dla odmian powtarzających cechy roślin matecznych. Do krzyżowania wybiera się najlepsze, specjalnie wyselekcjonowane rośliny. Aby nie dopuścić do samozapylenia usuwa się pylniki z roślin matecznych, a gdy znamię słupka jest już dojrzałe przystępuje się do zapylania pyłkiem z roślin ojcowskich. Po udanym zapyleniu działki okwiatu opadają, a z zalążni tworzy się torebka nasienna. Dojrzałe torebki łatwo pękają, dlatego też należy je zebrać, gdy tylko zaczynają żółknąć. Nasiona dojrzewają po 4—8 tygodniach od zapylenia, a ich żywotność wynosi 3—4 miesiące, dlatego też najczęściej wysiewa się je latem, wkrótce po zbiorze. Podłożem może być mieszanka ziemi liściowej, torfu i piasku w proporcji 2:1:1 lub substrał torfowy o pH 6,5—7,2. Nasiona sieje się rzutowo lub punktowo i cienko przykrywa przesianym torfem lub mieszanką ziemi i piasku. W temperaturze 20—25°C nasiona kiełkują po 3—4 tygodniach, przy czym zdolność kiełkowania wynosi prawie 100%. Siewki rosną bardzo wolno. Jeżeli zatem siew był punktowy mogą one dłużej pozostać na tym samym miejscu. W przypadku siewu rzutowego

—     siewki po wytworzeniu 3 liści pikuje się na zagony w rozstawie 10X10—15 cm. Podłoże powinno być bardziej zasobne, najlepiej dwuwarstwowe. Dolną warstwę, grubości 5 cm może stanowić stary, dobrze rozłożony obornik, górną natomiast, grubości 8—12 cm, ziemia liściowa z torfem. Pielęgnowanie siewek polega na dosyć obfitym podle­waniu i zraszaniu, a także cieniowaniu w miesiącach letnich. Temperatura powietrza powinna wynosić 20°C. Do dokarmiania stosuje się silnie rozcieńczoną gnojowicę i 0,2% roztwór nawozów mineralnych jak siarczan amonowy, superfosfat i siarczan potasowy. Zimą temperaturę nieco się obniża i ogranicza podlewanie, ale nie można dopuścić do przesuszenia podłoża. Wzrost roślin przez pierwsze 2 lata uprawy powinien być bowiem nieprzerwany, aby przyrost cebul był jak najwięk­szy. W końcu drugiego roku uprawy latem przerywa się podlewanie

1 zmusza rośliny do spoczynku. Po wyjęciu cebul z podłoża sortuje się je według wielkości. Wszystkie cebule o obwodzie powyżej 24 cm można przeznaczyć do uprawy przyspieszonej, a pozostałe uprawia się jeszcze rok na zagonach lub w doniczkach.

Metoda polegająca na oddzielaniu cebulek przybyszowych, jako mało wydajna/ nie jest stosowana w produkcji wielkotówarowej. Bardzo często natomiast rozmnaża się hipeastrum przez sadzonkowanie łusćk. Bardzo duże cebule, o obwodzie co najmniej 32 cm, przechowuje się po zbiorze w sierpniu w temperaturze 0,5—3°C. W grudniu i styczniu przystępuje się do rozmnażania. Po usunięciu korzeni i kilku najbardziej zewnętrznych łusek rozcina się cebule prostopadle do piętki na 12—16 części. Każda z oddzielonych części składa się z fragmentów 2—4 łusek połączonych ze sobą kawałkiem piętki. Tak przygotowane sadzonki łuskowe przechowuje się kilka dni w temperaturze 25—30°C, w po­mieszczeniach o bardzo wysokiej wilgotności powietrza. W tych warun­kach rany szybciej się zabliźniają, ale bezpośrednio przed sadzonkowa­niem zaprawia się jeszcze łuski przez 15—20 minut w roztworze Benlałe o stężeniu 0,2%. Podłoże powinno być dwuwarstwowe, przy czym grubość każdej warstwy wynosi 10 cm. Dolna warstwa to substrat torfowy o małej zawartości składników pokarmowych, górna natomiast — parowany piasek. Sadzonki w ilości 1000—1200 szt./m² umieszcza się na parapetach na głębokości 3—5 cm i utrzymuje temperaturę podłoża 23—25°C. Temperatura powietrza powinna być nieco wyższa tzn. 25— —27°C. W tych warunkach ukorzenianie trwa tylko 3—5 tygodni, ale ze względu na tworzenie się cebulek przybyszowych, sadzonki pozostają na tym samym miejscu co najmniej 3 miesiące. Młode rośliny przesadza się następnie na zagony w ilości 60—80 szt./m², gdzie rosną aż do uzyskania przez cebule obwodu 20 cm.

Preparowanie cebul. Do kwitnienia w najwcześniejszym terminie (gru­dzień) stosuje się cebule preparowane, tj. traktowane odpowiednią tem­peraturą. Po zbiorze, przez 4 tygodnie przechowuje się cebule w tempe­raturze 13—17°C, a jeśli zbiór przypada już w lipcu stosuje się temperatu­rę 13°C nawet przez 8 tygodni. Preparowanie polega na przechowywaniu cebul przez kolejne 4 tygodnie w temperaturze 23°C. Z tak przygotowa­nych cebul otrzymuje się rośliny kwitnące w końcu grudnia. Podczas przyspieszania temperatura podłoża powinna wynosić 20°C, a powietrza 20—25°C.

W celu opóźnienia kwitnienia poddaje się cebule działaniu temperatury 3—7°C przez okres nawet kilku miesięcy. Po takim chłodzeniu przyspie­szanie trwa tylko 4 tygodnie pod warunkiem, żć temperatura w szklarni będzie wynosiła 32°C.

Sadzenie i pielęgnowanie. Termin sadzenia cebul zależy od planowanego terminu kwitnienia i przypada zwykle od października do końca czerw­ca. Terminarz przyspieszania hipeastrum przedstawia poniższe zesta­wienie.

Do przyspieszania nadają się cebule o obwodzie powyżej 24 cm, które sadzi się pojedynczo do doniczek lub na zagony podwyższone. Przed sadzeniem skraca się korzenie do długości około 10 cm. Podłoże powinno być lekkie, przepuszczalne, zasobne w składniki pokarmowe, aby po kwitnieniu zapewnić roślinom dobry przyrost cebul. Najlepsza jest mie­szanka ziemi inspektowej i torfu w proporcji 2:1 z dodatkiem piasku. Konieczne jest parowanie podłoża, a także dezynfekcja naczyń przezna­czonych do sadzenia cebul. W najwcześniejszym terminie przyspieszania, na koniec grudnia, rośliny uprawiane w doniczkach umieszcza się po posadzeniu na kilka dni pod stołami zasłoniętymi czarną folią. Dopiero gdy pędy osiągną wysokość 20 cm ustawia się doniczki na stołach w celu zapewnienia roślinom pełnego dostępu światła.

Zabiegi pielęgnacyjne polegają na utrzymywaniu optymalnej temperatury, podlewaniu, zraszaniu, cieniowaniu i dokarmianiu roślin. Zakres opty­malnych temperatur przedstawiono w rozdziale „Wymagania”. Gdy zaczynają się zabarwiać pąki, temperaturę obniża się do 15°C. Do dokarmiania stosuje się nawozy mineralne, najlepiej w roztworze o kon­centracji 0,2% i rozcieńczoną gnojowicę. Po zbiorze kwiatów rośliny muszą być również bardzo starannie pielęgnowane, gdyż pąki kwiato­stanowe na rok następny tworzą się w cebuli w odstępach 2—3-mie- sięcznych — do końca okresu wegetacji.

Latem przerywa się dokarmianie i stopniowo zasusza rośliny zmuszając je do spoczynku. Zbiór cebul należy wykonać we wrześniu lub paździer­niku. Przed wykopaniem cebul obcina się liście, gdyż są one tylko częścio­wo zaschnięte. Cebule przeznaczone do przyspieszania na kwitnienie w grudniu wykopuje się wcześniej, nawet od początku lipca.

Zbiór kwiatów. Cięcie pędów kwiatostanowych może nastąpić, gdy pąki są bardzo duże i dobrze wybarwione. W takim stadium kwiaty najłatwiej się pakuje i transportuje nawet na większe odległości. Bezpo­średnio po zbiorze umieszcza się kwiaty w naczyniach z wodą, w chłodni. Kwiaty rozwijają się w kwiatostanie stopniowo, a więc trwałość hipeastrum po ścięciu wynosi nawet 10 dni i więcej.

Ochrona przed chorobami i szkodnikami. Hipeastrum najczęściej podlega czerwonej plamistości zgorzelowej (czynnik chorobotwórczy — Sfagono- spora curtisii). Na liściach i pędach pojawiają się plamki, a na łuskach cebuli i korzeniach czerwonobrunatnę przebarwienia. Silnie porażone rośliny są skarłowaciałe i zniekształcone. Aby zapobiec wystąpieniu tej choroby unikać należy zbyt wysokiej wilgotności podłoża i powietrza jesienią i zimą, gdy temperatura w szklarni jest niższa. Cebule w okresie spoczynku zaprawia się w roztworze Ceresanu o stężeniu 1% przez 30 min., a podczas wegetacji opryskuje się rośliny 0,1% Benlate lub innymi preparatami grzybobójczymi jak Kaptan, Cynkotox czy Dithane M-45 w stężeniu 0,2%.

Duże straty powoduje też wirus mozaiki ogórka (Lycopersicum Virus 3), wywołujący smugowałość liści. Rośliny silnie porażone żółkną i zamierają. Niszczenie całych roślin wraz z cebulą zapobiega rozprzestrzenianiu się choroby. W tym celu należy również systematycznie zwalczać mszyce, które przenoszą wirusy.